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高温四探针综合测试系统(包含薄膜

高温四探针综合测试系统(包含薄膜

型 号: GWST-1000
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GWST-1000型高温四探针综合测试系统(包含薄膜,块体功能)是为了更方便的研究在高温条件下的半导体的导电性能,该系统可以*实现在高温、真空及惰性气氛条件下测量硅、锗单晶(棒料、晶片)电阻率和外延层、扩散层和离子层的方块电阻及测量其他方块电阻。

GWST-1000高温四探针综合测试系统(包含薄膜的详细资料:

GWST-1000型高温四探针综合测试系统(包含薄膜,块体功能)

关键词:四探针,电阻,方阻

GWST-1000型高温四探针综合测试系统(包含薄膜,块体功能)是为了更方便的研究在高温条件下的半导体的导电性能,该系统可以*实现在高温、真空及惰性气氛条件下测量硅、锗单晶(棒料、晶片)电阻率和外延层、扩散层和离子层的方块电阻及测量其他方块电阻。

二、符合:

1、符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、

2、符合GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》

3、符合美国 A.S.T.M 标准

二、产品应用:

1、测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻;

2、可测柔性材料导电薄膜电阻率/方阻

3、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜(ITO膜)电阻率/方阻

4、纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻

5、电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻进行测量

6、可测试电池极片等箔上涂层电阻率方阻

三、主要技术参数

温度范围:RT-1000℃
升温斜率:0-10℃/min (典型值:3℃/min)
控温精度:±0.1℃
电阻测量范围:0.1mΩ~1MΩ
电阻率测量范围:100nΩ..cm~100KΩ .cm
测量环境:惰性气氛、还原气氛、真空气氛
测量方法:四线电阻法,探针法
测试通道:单通道或是双通道
样品尺寸:10mmx10mmX20mm或φ<20mm ,d<5mm
电极材料:铂铱合金电极(耐高温,抗氧化)
绝缘材料:99氧化铝陶瓷
数据存储格式:自动分析数据,可以分类保存,样品和测量方案结合在一起,生成系统所需的实验方案,输出TXT、XLS、BMP等格式文件

数据传输:USB
符合标准:ASTM
供电:220V±10%,50Hz
工作温度:5℃ 至 + 40 ℃;

工作湿度:+40 ℃ 时,相对湿度高达 95%(无冷凝)
设备尺寸: L360mm*W370mm*H510mm
重量:22kg


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